Transistors. Page 87 sur 114. Avtronic

Transistor IRLL2703

2.41€ TTC

38 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 5.5A. Puissance: 2.1W. Boîtier: SOT223.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML2502

0.95€ TTC

1348 En stock

Transistor MOSFET canal N 20V 4.2A/33Ap 1.25W 0.035R (3.4A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML2803

1.34€ TTC

45 En stock

Transistor IRLML2803 N-MOS 30V 1.2A 1.25W 0.098R(0.93A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: SOT-23. TO-236AB (Micro3). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.2 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML5203

1.23€ TTC

263 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 1.25W. Résistance passante (Rds): 0.098 Ohms. Boîtier: SOT-23.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML6402

1.12€ TTC

309 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds): 0.050 Ohms. Boîtier: SOT-23.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR024N

2.18€ TTC

172 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 55V 17A/72Ap 45W 0.065R (12A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLR024NPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252AA (D-pak). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 5V. Id(T:25): 17A. Puissance: 45 W. Id(T:100): 12A. Id(imp): 72 Ap. I

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLR120N

3.19€ TTC

77 En stock

Transistor IRLR120N N-MOS 100V 10A 48W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2705

2.91€ TTC

16 En stock

Transistor IRLR2705 N-MOS 55V 28A 68W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2905

3.70€ TTC

731 En stock

Transistor IRLR2905 N-MOS 55V 42A 110W 0.027R(30A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Idm:160A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2905Z

3.25€ TTC

449 En stock

Transistor IRLR2905Z N-MOS 55V 42A 110W 0.0135R. HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.0135. Puissance: 110 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLR3410

3.25€ TTC

28 En stock

Transistor IRLR3410 N-MOS 100V 17A 79W 0.105R(12A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLR3705ZPBF

4.20€ TTC

52 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 89A/360Ap 130W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (63A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLR7843

4.20€ TTC

1610 En stock

Transistor MOSFET canal N 30V 161A/620Ap 140W 0.0026R (113A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLR7843PBF. Marquage boîtier: LR7843. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO-252AA (D-pak). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 161A. Puissance: 140 W. I

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLR8721

3.53€ TTC

24 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 30V 65A. Référence d'origine constructeur: IRLR8721PBF. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 65W. Résistance Rds: 6.3 milliOhms. HEXFET Power MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR8743

4.48€ TTC

74 En stock

Transistor IRLR8743 N-MOS 30V 160A 135W 0.03R(113A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 160 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 113 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLZ24N

2.69€ TTC

201 En stock

Transistor IRLZ24N N-MOS 55V 17A 47W 0.075R(8.5A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.5 A. Rds (Ohms): 0.075

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLZ34N

2.86€ TTC

977 En stock

Transistor IRLZ34N N-MOS 55V 30A 68W 0.035R(16A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.035.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLZ34NS

3.42€ TTC

1 En stock

Transistor IRLZ34NS N-MOS 55V 30A 68W 0.035R(16A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.035.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRLZ44N

2.69€ TTC

393 En stock

Transistor IRLZ44N N-MOS 55V 47A 110W 0.022R(25A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 47 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.022.

0

Tarifs dégressifs

Transistor ISL9V5036P3

13.50€ TTC

11 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 390V. Courant de collecteur maxi: 46A. Puissance: 250W. Vce(sat): 1.17V. Boîtier: TO-220. td(On): 0.7us. td(Off): 10.8us

0

Tarifs dégressifs

Transistor IXFH26N60Q

56.17€ TTC

5 En stock

Transistor IXFH26N60Q N-MOS 600V 26A 360W 0.25R 250nS. HiPerFet Power MOSFET. dv/dt: 10V/ns. Constructeur: IXYS. Boîtier: TO-247AD. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 26 A. Rds (Ohms): 0.25. Puissance: 360 W

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRLL2703

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 5.5A. Puissance: 2.1W. Boîtier: SOT223.

Transistor IRLML2502

Transistor MOSFET canal N 20V 4.2A/33Ap 1.25W 0.035R (3.4A)

Transistor IRLML2803

Transistor IRLML2803 N-MOS 30V 1.2A 1.25W 0.098R(0.93A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: SOT-23. TO-236AB (Micro3). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.2 A.

Transistor IRLML5203

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 1.25W. Résistance passante (Rds): 0.098 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Transistor IRLML6402

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds): 0.050 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Transistor IRLR024N

Transistor IRLR120N

Transistor IRLR120N N-MOS 100V 10A 48W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRLR2705

Transistor IRLR2705 N-MOS 55V 28A 68W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRLR2905

Transistor IRLR2905 N-MOS 55V 42A 110W 0.027R(30A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Idm:160A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A.

Transistor IRLR2905Z

Transistor IRLR2905Z N-MOS 55V 42A 110W 0.0135R. HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.0135. Puissance: 110 W

Transistor IRLR3410

Transistor IRLR3410 N-MOS 100V 17A 79W 0.105R(12A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

Transistor MOSFET canal-N IRLR3705ZPBF

Transistor MOSFET canal-N 55V 89A/360Ap 130W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (63A)

Transistor IRLR7843

Transistor IRLR8721

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 30V 65A. Référence d'origine constructeur: IRLR8721PBF. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 65W. Résistance Rds: 6.3 milliOhms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRLR8743

Transistor IRLR8743 N-MOS 30V 160A 135W 0.03R(113A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 160 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 113 A.

Transistor IRLZ24N

Transistor IRLZ24N N-MOS 55V 17A 47W 0.075R(8.5A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.5 A. Rds (Ohms): 0.075

Transistor IRLZ34N

Transistor IRLZ34N N-MOS 55V 30A 68W 0.035R(16A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.035.

Transistor IRLZ34NS

Transistor IRLZ34NS N-MOS 55V 30A 68W 0.035R(16A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.035.

Transistor IRLZ44N

Transistor IRLZ44N N-MOS 55V 47A 110W 0.022R(25A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 47 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.022.

Transistor ISL9V5036P3

Transistor IGBT N (+diode) 390V. Courant de collecteur maxi: 46A. Puissance: 250W. Vce(sat): 1.17V. Boîtier: TO-220. td(On): 0.7us. td(Off): 10.8us

Transistor IXFH26N60Q

Transistor IXFH26N60Q N-MOS 600V 26A 360W 0.25R 250nS. HiPerFet Power MOSFET. dv/dt: 10V/ns. Constructeur: IXYS. Boîtier: TO-247AD. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 26 A. Rds (Ohms): 0.25. Puissance: 360 W

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